examples/MESFET/IV.inp

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   2 # GSS example: MESFET
   3 # here, we solve the IV curve at Vgs=0V.
   4 #==============================================================================
   5 set Carrier     = pn
   6 set Z.width     = 1
   7 set LatticeTemp = 3e2
   8 set DopingScale = 2e17
   9 #------------------------------------------------------------------------------
  10 # gate voltage source
  11 vsource Type = VDC    ID = VGATE  Tdelay=0 Vconst=0.0
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  13 #------------------------------------------------------------------------------
  14 # specify boundary condition.
  15 boundary Type=OhmicContact      ID=SOURCE Res=0 Cap=0 Ind=0
  16 boundary Type=OhmicContact      ID=DRAIN  Res=0 Cap=0 Ind=0
  17 boundary Type=SchottkyContact   ID=GATE   Res=0 Cap=0 Ind=0 Workfunction=4.9
  18
  19 PMIS  Region=MESFET Mobility=Hypertang
  20 #------------------------------------------------------------------------------
  21 # drive command, specify the solving process.
  22 IMPORT   CoreFile=mesfet.cgns
  23 # set gate bias, we change the drain voltage.
  24 #ATTACH   Electrode=GATE    VApp=VGATE
  25 METHOD   Type = EBML3E   Scheme = Newton    NS=Basic LS=GMRES
  26 SOLVE    Type=DCSWEEP  VScan=DRAIN    IVRecord=DRAIN IVRecord=GATE \
  27          IVFile=iv.txt VStart=0.0 VStep=0.01 VStop=2
  28 # we get a IV curve at V(GATE)=0V.
  29 PLOT     Variable=Nd          Resolution=RES.High    AzAngle=40  ElAngle=40
  30 PLOT     Variable=ElecDensity Resolution=RES.High    AzAngle=40  ElAngle=40
  31 PLOT     Variable=HoleDensity Resolution=RES.High    AzAngle=40  ElAngle=40
  32 PLOT     Variable=Potential   Resolution=RES.High    AzAngle=40  ElAngle=40
  33 END