examples/HBJT/step3.inp

   1 #==============================================================================
   2 # GSS example: HBJT Transistor AC sweep Simulation
   3 #==============================================================================
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   5 set Carrier     = pn        # specify carrier type
   6 set LatticeTemp = 3e2       # specify initial temperature of device.
   7 set DopingScale = 1e18
   8
   9 #------------------------------------------------------------------------------
  10 vsource Type = VDC    ID = GND  Tdelay=0 Vconst=0
  11 vsource Type = VDC    ID = VCC  Tdelay=0 Vconst=3.0
  12 vsource Type = VDC    ID = Vb   Tdelay=0 Vconst=0.7
  13 #------------------------------------------------------------------------------
  14 # specify boundary condition.
  15 boundary Type = OhmicContact    ID=Emitter    Res=0 Cap=0 Ind=0
  16 boundary Type = OhmicContact    ID=Base       Res=0 Cap=0 Ind=0
  17 boundary Type = OhmicContact    ID=Collector  Res=1000 Cap=0 Ind=0
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  19 #------------------------------------------------------------------------------
  20 # drive command, specify the solving process.
  21 # import bias.cgns computed in step 2.
  22 IMPORT   CoreFile=bias.cgns
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  24 #call DDML1E to give a initial value for AC sweep.
  25 METHOD   Type = DDML1E   Scheme = Newton   NS=LineSearch LS=LU Damping=Potential
  26 ATTACH   Electrode=Emitter       VApp=GND
  27 ATTACH   Electrode=Base          VApp=Vb   # set voltage(Base) to Vb
  28 ATTACH   Electrode=Collector     VApp=VCC
  29 # compute STEADYSTATE to get a initial value
  30 SOLVE    Type=STEADYSTATE
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  32 # Do AC sweep here.
  33 # The convergince rate is very slow. or even failed with GMRES method.
  34 METHOD   Type = DDML1AC   LS=TFQMR
  35 SOLVE    Type=ACSWEEP    ACScan=Base IVRecord=Collector   IVFile=ivac.txt  \
  36          FStart=1e6 FMultiple=1.1  FStop = 1e10