initial checkin, based on GSS 0.46 CVS
[gss-tcad.git] / examples / CMOS_Circuit / nmos_mix1.inp
blob4d9ea904e970cd5feee5eff0a3807cc82e56c4bb
1 #==============================================================================
2 # GSS mix-type simulation file for 1.5 Micron N-Channel MOSFET
3 #==============================================================================
5 set Carrier     = pn
6 set Z.width     = 2
7 set LatticeTemp = 3e2
8 set DopingScale = 1e18
10 #------------------------------------------------------------------------------
11 # voltage sources are needed here.
12 vsource Type = VDC    ID = GND    Tdelay=0   Vconst=0
13 vsource Type = VDC    ID = VCC    Tdelay=0   Vconst=5
14 vsource Type = VDC    ID = VGATE  Tdelay=0   Vconst=5
16 #------------------------------------------------------------------------------
17 # specify boundary condition.
18 boundary Type = InsulatorInterface ID=IF_NOxide_to_NSilicon QF=0
19 boundary Type = GateContact        ID=NGate        WorkFunction=4.17
20 boundary Type = OhmicContact       ID=NSubstrate   Res=0 Cap=0 Ind=0
21 CONTACT  Type = OhmicContact       ID=NSource Res=0 Cap=0 Ind=0
22 CONTACT  Type = OhmicContact       ID=NDrain  Res=0 Cap=0 Ind=0
24 #------------------------------------------------------------------------------
25 # specify physical model, use Lucent mobility here.
26 PMIS region=Si mobility=Lucent
28 #------------------------------------------------------------------------------
29 # IMPORT NMOS MODEL
30 IMPORT   CoreFile=nmos_init.cgns
31 METHOD   Type = DDML1MIX   Scheme = Newton  NS=Basic LS=GMRES ServerPort=17001
32 SOLVE    
34 END