examples/CMOS_Circuit/nmos4.inp

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   2 # GSS example: 1.5 Micron N-Channel MOSFET
   3 # We fix the gate and source bias voltage as 3V.
   4 # and do AC sweep for the gate.
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   7 set Carrier     = pn
   8 set Z.width     = 2
   9 set LatticeTemp = 3e2
  10 set DopingScale = 1e18
  11 #------------------------------------------------------------------------------
  12 # voltage sources are needed here.
  13 vsource Type = VDC    ID = GND    Tdelay=0   Vconst=0
  14 vsource Type = VDC    ID = VCC    Tdelay=0   Vconst=5
  15 vsource Type = VDC    ID = VGATE  Tdelay=0   Vconst=5
  16 vsource Type = VSIN   ID = Vs   Tdelay=0 Vamp=0.1 Freq=1e6  # 1MHz
  17 #------------------------------------------------------------------------------
  18 # specify boundary condition.
  19 boundary Type = InsulatorInterface ID=IF_NOxide_to_NSilicon QF=0
  20 boundary Type = GateContact        ID=NGate  WorkFunction=4.17 Res=0 Cap=0 Ind=0
  21 boundary Type = OhmicContact       ID=NSubstrate   Res=0 Cap=0 Ind=0
  22 contact  Type = OhmicContact       ID=NSource Res=0 Cap=0 Ind=0
  23 contact  Type = OhmicContact       ID=NDrain  Res=100 Cap=0 Ind=0
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  25 #------------------------------------------------------------------------------
  26 # specify physical model.
  27 PMIS region=Si mobility=Lucent
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  29 #------------------------------------------------------------------------------
  30 # drive command, specify the solving process.
  31 IMPORT   CoreFile=nmos_open.cgns        #import data computed by step2
  32 ATTACH   Electrode=NGate    Vapp=VGATE
  33 ATTACH   Electrode=IF_NDrain_to_NSilicon Vapp=VCC
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  35 METHOD   Type = DDML1E   Scheme = Newton  NS=LineSearch LS=GMRES
  36 SOLVE    Type=STEADYSTATE
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  38 METHOD   Type = DDML1AC   LS=GMRES
  39 SOLVE    Type=ACSWEEP    ACScan=NGate IVRecord=IF_NDrain_to_NSilicon  IVFile=ivac.txt  \
  40          FStart=1e5 FMultiple=1.1  FStop = 2e9
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